MJD2955T4

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 20W PNP

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规格书	MJD2955, MJD3055
文档	Multiple Devices 14/Apr/2010
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装	10
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）	10A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止（最大）	50µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	20 @ 4A, 4V
功率 - 最大	1.75W
频率转换	2MHz
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	DPAK-3
包装材料	Cut Tape (CT)
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	10A
晶体管类型	PNP
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	2MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止（最大）	50µA
标准包装	10
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
供应商设备封装	DPAK-3
封装	Cut Tape (CT)
功率 - 最大	1.75W
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	20 @ 4A, 4V
其他名称	MJD2955T4OSCT
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
MJD2955T4/BKN	stmicroelectronics	Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MJD2955T4G	on semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MJD2955TF	fairchild semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MJD2955TF/BKN	fairchild semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MJD2955	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 20W PNP
MJD2955-001	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 20W PNP
MJD2955-001	rochester electronics
MJD2955-1G	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 10A 60V 20W PNP
MJD2955-1G	rochester electronics
MJD2955G	on semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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